[发明专利]自旋场效应逻辑装置有效
| 申请号： | 201410120822.3 | 申请日： | 2010-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN103915488B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 洪起夏;金钟燮;申在光 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01F10/193;H01F10/32;B82Y25/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 韩芳,薛义丹 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自旋场效应逻辑装置，所述逻辑装置包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 自旋 场效应 逻辑 装置 | ||
【主权项】：
一种自旋场效应逻辑装置，包括：第一沟道，包括磁材料，第一沟道被构造为选择性地传输自旋极化的电子；源极，在第一沟道上；第一栅电极，在第一沟道上；第一漏极，被构造为输出从源极传输的电子；输出电极，被构造为输出从源极传输的电子；第二沟道，在第一沟道上，第一栅电极和第一漏极在第二沟道上，在第二沟道上的第一栅电极被构造为控制第二沟道的磁化方向；第三沟道，在第一沟道上；第二栅电极，在第三沟道上，第二栅电极被构造为控制第三沟道的磁化方向；第二漏极，在第三沟道上；第一电压源，并联地连接到第一漏极和第二漏极，其中，源极、第二沟道和第三沟道分开，输出电极连接在第一电压源和第一漏极之间。
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