[发明专利]功率半导体器件的集成冷却模块在审
申请号: | 201410121411.6 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN104078433A | 公开(公告)日: | 2014-10-01 |
发明(设计)人: | A.施瓦茨 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/46;H01L23/473 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 马丽娜;胡莉莉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及功率半导体器件的集成冷却模块。公开了具有至少一个功率半导体器件的半导体模块,其中,所述至少一个功率半导体器件具有第一和第二平面侧;第一导热基板,与所述功率半导体器件的第一平面侧进行热接触;第一冷却模块,限定第一腔,该第一腔与第一导热基板进行热接触,并且第一冷却模块与第一导热基板进行机械连接;第一进口,被提供在第一腔中用于接收冷却剂;第一出口,被提供在第一腔中用于排放所述冷却剂;其中,所述功率半导体器件与所述腔是防冷却剂隔离的。 | ||
搜索关键词: | 功率 半导体器件 集成 冷却 模块 | ||
【主权项】:
一种半导体模块,包括:至少一个热产生器件,其中,所述至少一个热产生器件具有第一和第二平面侧;第一导热结构,与所述热产生器件的第二平面侧进行热接触;第一冷却模块,限定第一腔,所述第一腔与所述第一导热结构进行热接触,并且所述第一冷却模块与所述第一导热结构进行机械连接;第一进口,被提供在所述第一腔中用于接收冷却剂;第一出口,被提供在所述第一腔中用于排放所述冷却剂;其中,所述热产生器件与所述腔是防冷却剂隔离的。
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