[发明专利]用于射频无源件和天线的方法、设备和材料有效
| 申请号： | 201410121564.0 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104078451B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | V.K.奈尔;胡川;S.M.利夫;L.E.莫斯利 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 柯广华,汤春龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了用于射频无源件和天线的方法、设备和材料。在一个示例中，电子组件包含具有对准磁畴的合成磁性纳米复合材料、嵌入在所述纳米复合材料内的导体以及延伸通过纳米复合材料以连接到导体的接触盘。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 射频 无源 天线 方法 设备 材料 | ||
【主权项】：
一种半导体封装，包括：衬底，所述衬底配置用于电气连接到系统板；连接到所述衬底的合成磁性层，其中所述磁性层由环氧树脂中固化的磁性纳米粒子形成；以及在所述磁性层上面的天线。
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