[发明专利]一种阵列基板的制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅阵列基板，该方法包括如下步骤在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案；采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第一道光罩工艺和第二光罩工艺均为半调式光罩工艺；采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道；采用第四道光罩工艺，形成钝化层。实施本发明实施例，简化了制造低分辨率OLED显示面板的a‑Si阵列基板的工艺流程，可以减少掩膜板的使用量，降低了生产成本。

主权项

一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的OLED面板的非晶硅阵列基板，其特征在于，包括如下步骤：在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成栅极金属层和像素电极图案，所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；采用第二道光罩工艺，形成栅极绝缘层、半导体层图案，所述第二道光罩工艺为半调式光罩工艺；采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道；采用第四道光罩工艺，形成钝化层；其中，所述采用第三道光罩工艺，形成源/漏极金属层和沟道的步骤包括：在所述形成有形成栅极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上，采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为1000 Å ~6000Å的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟道进行干刻，并剥离相应的光刻胶，形成源极金属层、漏极金属层和沟道。