[发明专利]一种氢氧化钴薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201410122323.8 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN103911646A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 樊玉欠;王慧娟;邵光杰;马志鹏;王桂玲;郭壮;侯爵;闫帅 | 申请（专利权）人： | 燕山大学 |
| 主分类号： | C25D11/34 | 分类号： | C25D11/34;C25D5/54;C25D5/56;C25D3/12 |
| 代理公司： | 石家庄一诚知识产权事务所 13116 | 代理人： | 续京沙 |
| 地址： | 066004 河北省*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种氢氧化钴薄膜的制备方法，其主要是在导电或非导电的平面基体上通过电沉积法或化学沉积法获得金属钴的薄膜；然后通过机械剥离法、超声法或化学方法将金属钴薄膜从基体剥离并浸入pH为10-15的电解液中，使金属钴薄膜与电解液中的溶解氧在室温下进行反应，反应时间为1-30小时，经过洗涤、干燥后，即可得到氢氧化钴薄膜，该薄膜是由六边型氢氧化钴纳米颗粒相互交联而成，其厚度为100-1000nm。本发明制备工艺简单、易于操作、生产成本低、周期短、适合工业化大生产，所得氢氧化钴薄膜纯度高、厚度均匀可控，适用于制备各类电池材料及催化剂材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备氢氧化钴薄膜的方法，其特征在于：该方法的步骤如下：（1）首先在平面基体上通过沉积法获得厚度为100‑1000nm金属钴薄膜；（2）然后将金属钴薄膜从基体剥离并浸入pH为10‑15的电解液中，使金属钴薄膜与电解液中的溶解氧在室温下反应1‑30小时，此过程中薄膜由金属颜色转变为具有柔韧性的半透明颜色；（3）经过去离子水洗涤3‑5次、干燥后，即可得到氢氧化钴薄膜，该薄膜是由六边型氢氧化钴纳米颗粒相互交联而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于燕山大学，未经燕山大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410122323.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种提拉法生长人工晶体的装置
- 下一篇：一种用于移动设备的麦克风单元
