[发明专利]一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET及其加工方法

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种具有纵向屏蔽栅的Trench MOSFET，包括：衬底；外延层；位于外延层顶部的源掺杂区；位于外延层内源掺杂区下方的阱区；生长在外延层上部的多晶硅栅极；位于外延层与多晶硅栅极间的栅氧化层；位于多晶硅栅极下方的多晶硅源极；位于外延层与多晶硅源极间的侧壁氧化层；位于多晶硅栅极与多晶硅源极间的隔离氧化层；覆盖多晶硅栅极及源掺杂区的表面氧化层；位于外延层的内部的源接触孔；包围源接触孔，并与阱区相连的源第二掺杂区；多晶硅源极与侧壁氧化层的总宽度大于多晶硅栅极与栅氧化层的总宽度；源接触孔底端的竖直高度小于侧壁氧化层顶端的竖直高度。本发明形成纵向屏蔽电场，提高抗单粒子相应的能力。

主权项

一种具有纵向屏蔽栅的TrenchMOSFET，其特征在于，包括：衬底；覆盖所述衬底的外延层；位于所述外延层顶部的源掺杂区；位于所述源掺杂区下方的阱区；生长在所述外延层上部的多晶硅栅极；位于所述外延层与所述多晶硅栅极间的栅氧化层；位于所述多晶硅栅极下方的多晶硅源极；位于所述外延层与所述多晶硅源极间的侧壁氧化层；位于所述多晶硅栅极与所述多晶硅源极间的隔离氧化层；覆盖所述多晶硅栅极及所述源掺杂区的表面氧化层；纵向穿越所述表面氧化层、所述源掺杂区和所述阱区，位于所述外延层的内部的源接触孔；包围所述源接触孔，并与所述阱区相连的源第二掺杂区；覆盖所述表面氧化层及所述源接触孔的金属源电极；以及位于所述衬底底部的金属漏电极；所述多晶硅源极与所述侧壁氧化层的总宽度大于所述多晶硅栅极与所述栅氧化层的总宽度；所述源接触孔底端的竖直高度小于所述侧壁氧化层顶端的竖直高度。