[发明专利]膜形成方法无效
| 申请号： | 201410122615.1 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN104073769A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 山本悟史 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/56 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 董雅会;郭晓东 |
| 地址： | 日本京都*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种采用能够以足够快的速度形成优异特性的膜的技术的膜形成方法。一边通过向铝靶施加溅射电压，在处理空间内产生第一等离子，并且通过使高频电流向圈数小于一圈的电感耦合天线流动，在所述处理空间内产生电感耦合式的第二等离子，一边向该处理空间供给溅射气体和氧来对铝靶进行溅射，从而通过反应性溅射在对象物（9）上形成氧化铝膜。一边在处理空间至少产生第一等离子，一边向该处理空间供给溅射气体来对铝靶进行溅射，从而在对象物（9）上形成铝膜。形成有氧化铝膜和铝膜中的一种膜的对象物（9）不暴露在大气中，在形成在对象物（9）上的一种膜上层叠形成另一种膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种膜形成方法，通过磁控溅射在对象物上形成膜，其特征在于，包括：工序a），一边通过向铝靶施加溅射电压，在处理空间内产生第一等离子，并且通过使高频电流向圈数小于一圈的电感耦合天线流动，在所述处理空间内产生电感耦合式的第二等离子，一边向所述处理空间供给溅射气体和氧来对铝靶进行溅射，从而通过反应性溅射在所述对象物上形成氧化铝膜，工序b），在进行所述工序a）之前或者所述工序a）之后进行，在该工序b）中，一边在处理空间内至少产生所述第一等离子，一边向所述处理空间供给溅射气体来对铝靶进行溅射，从而在所述对象物上形成铝膜；形成有所述氧化铝膜和所述铝膜中的一种膜的所述对象物不暴露在大气中，在形成在该对象物上的所述一种膜上层叠形成另一种膜。
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