[发明专利]堆叠式半导体结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410122664.5 申请日: 2014-03-28
公开(公告)号: CN104078458B 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 沈家贤;颜瀚琦;刘盈男;李维钧 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/31;H01L21/50
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 代理人: 林斯凯
地址: 中国台湾高雄*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种堆叠式半导体结构及其制造方法。堆叠式半导体结构包括第一基板、第二基板、第一半导体芯片、第二半导体芯片及表面黏贴元件。第一基板具有上表面。第二基板具有下表面。第一半导体芯片设于第一基板的上表面。第二半导体芯片设于第二基板的下表面。第一表面黏贴元件设于第一基板的上表面与第二基板的下表面之间并电性连接第一基板与第二基板。由于第一表面黏贴元件位于第一基板与第二基板之间,如此可缩小半导体结构的尺寸。
搜索关键词: 堆叠 半导体 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
一种堆叠式半导体结构,其特征在于,其包含:第一衬底,其具有上表面;第二衬底,其具有上表面和下表面,所述下表面相对于所述上表面,所述第二衬底的下表面面对所述第一衬底的上表面;至少一个表面安装元件,所述至少一个表面安装元件位于所述第一衬底的上表面和所述第二衬底的下表面之间且具有第一接点和第二接点,所述第一接点与所述第二接点分别接着于所述第一衬底的上表面,所述至少一个表面安装元件的第二接点电性连接到所述第一衬底的接地面,其中所述第一接点和第二接点的一部分面對所述第一衬底的所述上表面;天线,其设置于所述第二衬底的上表面上;至少一个第一导电孔,其设于所述第二衬底且电性连接所述天线以及所述至少一个表面接着元件的第一接点;以及至少一个第二导电孔,其设于所述第二衬底且电性连接所述天线以及所述至少一个表面接着元件的第二接点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体制造股份有限公司,未经日月光半导体制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410122664.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top