[发明专利]一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管

摘要

本发明公开了一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底、设置于P型衬底上的N阱层及雪崩区，所述雪崩区设置于所述P型衬底和N阱之间构成PN结，在P型衬底和雪崩区之间还设置有光吸收层，所述光吸收层为设置于P型衬底层上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底层的掺杂浓度；本发明提高了雪崩光电二极管器件的速率、频率响应和带宽。

主权项

一种带有深N阱的NP型CMOS雪崩光电二极管，包括P型衬底(21)、设置于P型衬底(21)上的N阱层及雪崩区(23)，所述雪崩区(23)设置于所述P型衬底(21)和N阱层之间构成PN结，其特征在于：在P型衬底(21)和雪崩区(23)之间还设置有光吸收层(22)，所述光吸收层(22)为设置于P型衬底层(21)上的深N阱，所述深N阱的掺杂浓度大于P型衬底(21)的掺杂浓度；所述P型衬底(21)上还设置有电极V_R、V_DNW和P衬底电极(27)，其中电极VR与所述雪崩区(23)的PN结相连接并提供反向雪崩击穿电压，所述V_DNW偏置电极与光吸收层(22)的深N阱相连接并提供偏置电压，其中在P衬底电极(27)上还设置有P+接触面(24)和N+接触面(25)。