[发明专利]用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法有效
| 申请号： | 201410123463.7 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103871844B | 公开（公告）日： | 2017-04-05 |
| 发明（设计）人： | 陈起伟;魏臻;孙智江;施荣华 | 申请（专利权）人： | 海迪科（南通）光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226500 江苏省南通市如*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法，包括如下步骤提供F基等离子体；针对F基等离子体施加预定方向的动能；使F基等离子体自上而下地轰击图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常区域表面达到预定时间，以使至少部分被刻蚀表面生成AlF3。由于本发明的F基等离子体易与蓝宝石中的Al元素发生化学反应，生成易挥发的AlF3，保证了刻蚀表面的清洁。另外由于F基的原子质量相比于BCl2+低，轰击能量较低，不易对表面造成物理创伤和辐射损伤，从而即保证了良好的形貌修饰作用，又保证了尺寸在修饰过程中的相对稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 改善 图形 蓝宝石 衬底 底部 刻蚀 异常 方法 | ||
【主权项】：
一种用于改善图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常的方法，其特征在于：包括如下步骤：使用含氟无机气体在射频电源激励下激发产生F基等离子体，通入流量为25sccm；针对所述的F基等离子体施加预定方向的动能；使所述的F基等离子体自上而下地轰击图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常区域表面达到预定时间，以使至少部分被刻蚀表面生成AlF3，轰击图形化蓝宝石衬底的底部刻蚀异常区域表面时的压力控制为3mTorr。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海迪科（南通）光电科技有限公司，未经海迪科（南通）光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410123463.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
