[发明专利]一种铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜的合成方法

摘要

本发明公开了一种铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜的合成方法，包括以下步骤（1）配制电解液将铜盐、锌盐、锡盐、硫代硫酸钠、柠檬酸三钠和酒石酸分别溶解到水中，然后再混合，混合均匀后调节pH值；（2）清洗基片金属Mo片作为基片，用氢氧化钠溶液擦拭表面，除去表面锈迹，然后在乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗，除去表面油渍；（3）电化学沉积将清洗好的基片放入已经配制好的电解液中，设定沉积电压和时间并开始，沉积结束后将基片取出，用大量的去离子水和乙醇冲洗并吹干；（4）将步骤（3）得到的样品在氮气或者氩气中煅烧1小时，得到铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜。此方法成本低，过程简单，所制得的样品性能优良。

主权项

一种铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜的合成方法，其特征在于，合成步骤如下：(1)配制电解液：将铜盐、锌盐、锡盐、硫代硫酸钠、柠檬酸三钠和酒石酸分别溶解到水中，然后再混合，混合均匀后调节pH值；(2)清洗基片：金属Mo片作为基片，用氢氧化钠溶液擦拭表面，除去表面锈迹，然后在乙醇、去离子水中逐次进行超声清洗，除去表面油渍；(3)电化学沉积：将清洗好的基片放入已经配制好的电解液中，设定沉积电压和时间并开始，所述沉积电压是‑1.05V，所述沉积电压为相对于Ag/AgCl电极的电压，沉积时间是15～60分钟，沉积结束后将基片取出，用大量的去离子水和乙醇冲洗并吹干；(4)将步骤(3)得到的样品在氮气或者氩气中煅烧1小时，得到铜锌锡硫‑硫化铜‑铜锡硫薄膜；所述步骤(4)中的煅烧温度范围为350℃；所述步骤(1)中，室温下分别配制0.02摩尔/升硫酸铜、0.03摩尔/升硫酸锌、0.02摩尔/升氯化亚锡、0.02摩尔/升硫代硫酸钠、0.2摩尔/升柠檬酸三钠以及0.1摩尔/升酒石酸水溶液；或室温下分别配制0.02摩尔/升硫酸铜、0.03摩尔/升硫酸锌、0.02摩尔/升氯化亚锡、0.03摩尔/升硫代硫酸钠、0.2摩尔/升柠檬酸三钠以及0.1摩尔/升酒石酸水溶液；将这些溶液等体积均匀混合，调节pH为5。