[发明专利]超声波换能器装置、探测器、电子设备及超声波图像装置有效

专利信息
申请号: 201410124604.7 申请日: 2014-03-28
公开(公告)号: CN104068894B 公开(公告)日: 2018-10-19
发明(设计)人: 清濑摄内;铃木博则;松田洋史 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: A61B8/00 分类号: A61B8/00
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及超声波换能器装置、探测器、电子设备及超声波图像装置等。其中,超声波换能器装置的特征在于,具备:多个振动膜配置成阵列状的基体;形成于所述振动膜上的压电元件;形成于所述基体上,在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中配置于所述振动膜的区域内以及所述振动膜的区域外的导电体;在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中,仅在所述振动膜的区域外形成于所述导电体上的第一绝缘膜;在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中仅在所述振动膜的区域内形成,具有比所述第一绝缘膜的膜厚小的膜厚,且形成于至少所述压电元件的一部分上的第二绝缘膜。
搜索关键词: 超声波 换能器 装置 探测器 电子设备 图像
【主权项】:
1.一种超声波换能器装置,其特征在于,具备:基体,配置有振动膜;压电元件,形成于所述振动膜上;导电体,形成于所述基体上,且在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中配置于所述振动膜的区域内以及所述振动膜的区域外;第一绝缘膜,在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中,仅在所述振动膜的区域外形成于所述导电体上;以及第二绝缘膜,在从所述基体的厚度方向观察的俯视观察中仅在所述振动膜的区域内形成,具有比所述第一绝缘膜的膜厚小的膜厚且至少形成于所述压电元件的一部分上。
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