[发明专利]碳纳米管结构的制备方法有效
申请号: | 201410124617.4 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN104944406B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 魏洋;魏浩明;姜开利;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
主分类号: | C01B32/16 | 分类号: | C01B32/16;B82Y30/00;B82Y40/00 |
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摘要: | 本发明提供一种碳纳米管结构的制备方法,包括以下步骤提供一代替基底及一生长基底,该生长基底表面具有碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出;将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底,并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构得以从该碳纳米管阵列中连续地拉出;以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构。 | ||
搜索关键词: | 纳米 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种碳纳米管结构的制备方法,包括以下步骤:提供一代替基底及一生长基底,该生长基底表面具有碳纳米管阵列,该碳纳米管阵列包括多个通过范德华力相互连接的碳纳米管,该碳纳米管阵列的形态能够使得一碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出;将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底,该代替基底与该碳纳米管阵列之间的结合力小于该碳纳米管阵列中碳纳米管间的范德华力,该代替基底与该碳纳米管阵列之间的结合力大于该生长基底与该碳纳米管阵列之间的结合力且小于该碳纳米管阵列中碳纳米管间的范德华力,并保持该碳纳米管阵列的形态仍能够使该碳纳米管结构从该碳纳米管阵列中连续地拉出;其中,将该碳纳米管阵列从该生长基底转移至该代替基底的步骤包括:将该代替基底的表面接触该碳纳米管阵列远离该生长基底的表面;通过移动该代替基底与该生长基底中的至少一方,使该代替基底与该生长基底相远离,从而使该碳纳米管阵列与该生长基底分离;以及从该代替基底上的碳纳米管阵列拉取该碳纳米管结构,该碳纳米管结构包括多个首尾相连的碳纳米管。
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