[发明专利]一种富集10B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法

摘要

本发明涉及防护和控制材料技术领域，具体涉及一种富集¹⁰B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法。本发明是将97~99质量份的富集¹⁰B碳化硼粉体与1~3质量份的胶黏剂以去离子水为介质混合形成混合物料烘干，将烘干后物料放入真空烧结炉内进行有压或无压烧结，控制炉内真空度达到5~40Pa，得到密度为1.8~2.48g/cm³的富集¹⁰B碳化硼中子吸收屏蔽材料。本发明的碳化硼粉末压制的制品，中子吸收能力大大提高，在反应堆内使用的过程中，不会引入其他杂质，能够保证反应堆的安全运行和使用寿命。

主权项

一种富集¹⁰B的碳化硼中子吸收屏蔽材料的制备方法，其特征在于按照以下步骤进行：（1）将97~99质量份的富集¹⁰B碳化硼粉体与1~3质量份的胶黏剂以去离子水为介质混合形成混合物料，将混合后的物料放入烘箱中烘干；（2）将烘干后的物料装入冷等静压模具中，于50~300Mpa的压力下压制成坯料；（3）将坯料放入石墨模具中，再放入真空烧结炉内进行无压烧结，控制炉内真空度达到5~40Pa，在15min内由室温升温至450℃，再在15min内由450℃升温继续至800℃，再在30min内由800℃继续升温至1400℃，再在40min内由1400℃继续升温至1950℃，最后于1950~2200℃保温5~30min，随炉冷却至室温，得到密度为1.8~2.48g/cm³的富集¹⁰B碳化硼中子吸收屏蔽材料。