[发明专利]PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法，其包括对硅片的硅衬底形貌刻蚀并清洗；外延生长前的预清洗；将硅片放入外延生长机台的刻蚀腔室，对硅片进行干法刻蚀，以去除自然氧化层；将硅片放入外延工艺腔室，对硅片进行SiGe外延生长工艺。本发明通过对硅片在进入外延机台前生成的自然氧化层进行原位刻蚀，避免了自然氧化层对外延工艺及后续工艺造成的晶格缺陷，从而减少器件失效，提高硅片的良率，同时减少工艺生产中的返工，缩短产品的生产周期和生产成本。

主权项

一种PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法，其特征在于，其包括以下步骤：步骤S01，对硅片的硅衬底形貌刻蚀并清洗；步骤S02，外延生长前的预清洗，在清洗机台上完成，清洗介质为含臭氧的去离子水、SC‑1和HF酸，以去除硅片表面的氧化层、表面沾污和表面钝化；步骤S03，将硅片放入外延生长机台内，该外延生长机台具有刻蚀腔室和外延工艺腔室，先将硅片放入刻蚀腔室，对硅片进行干法刻蚀，该干法刻蚀过程在外延生长机台内完成，以去除其在预清洗后放入外延生长机台前生成的自然氧化层；其中，干法刻蚀的介质含有NF3和/或NH3气体，在干法刻蚀前进行介质气体离子化，与自然氧化层反应生成固体生成物，并在干法刻蚀后通过加热使该生成物挥发去除；步骤S04，将硅片放入外延工艺腔室，对硅片进行SiGe外延生长工艺。