[发明专利]一种具有横向输运特性的纳米线晶硅太阳电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有横向传输特性的纳米线晶硅太阳电池的制备方法，利用原子层沉积技术结合化学溶液的方法，在硅纳米线阵列间隙之间填充ZnO纳米棒，在不影响硅纳米线超低反射的情况下，能够增强硅纳米线的横向导通，有助于光生载流子的横向传输和电极对光生载流子的收集，提高纳米线晶硅太阳电池的电池转换效率，降低太阳能电池的生产成本。本发明采用的原料充足，成本较低，工艺简单，有利于规模化生产。

主权项

一种具有横向输运特性的纳米线晶硅太阳电池的制备方法，它由下述步骤组成：（1）清洗硅衬底；（2）在硅衬底表面制备硅纳米线；（3）从制备有硅纳米线的硅衬底表面对硅衬底进行磷扩散或硼扩散；（4）采用原子层沉积技术在扩散后的硅衬底表面沉积一层ZnO薄膜作为籽晶层，然后将硅衬底倒扣于氨水与质量分数为2%～5%的硝酸锌水溶液的体积比为1:30的混合溶液中，70～100℃加热30～60分钟，在硅纳米线间隙之间生长ZnO纳米棒；（5）丝网印刷电极，烧结。