[发明专利]一种制备二硅化钽块体材料的方法有效
| 申请号： | 201410125984.6 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103882422A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 牛亚然;普慧;黄利平;季珩;郑学斌;丁传贤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C23C24/02 | 分类号： | C23C24/02 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备二硅化钽块体材料的方法，所述方法包括：采用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂到经表面预处理的耐高温基材至规定厚度，然后将耐高温基材剥离得到所述二硅化钽块体材料；所述二硅化钽粉的粒径范围为10～120微米，纯度大于95wt%；所述真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30-50slpm；等离子体气体H2：8-18slpm；粉末载气Ar：1.5-5slpm；喷涂距离：100-350mm；喷涂功率：30-58kW；送粉速率：8-30g·min-1；喷涂压力：100-800mbar。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 二硅化钽 块体 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种通过等离子体喷涂技术制备二硅化钽块体材料的方法，其特征在于，所述方法包括：采用真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺将二硅化钽粉喷涂到经表面预处理的耐高温基材至规定厚度，然后将耐高温基材剥离得到所述二硅化钽块体材料；所述二硅化钽粉的粒径范围为10～120微米，纯度大于95 wt%；所述真空等离子体喷涂工艺或低压等离子体喷涂工艺的参数为：等离子体气体Ar：30‑50slpm；等离子体气体H2：8‑18slpm；粉末载气Ar：1.5‑5slpm；喷涂距离：100‑350 mm；喷涂功率：30‑58 kW；送粉速率：8‑30 g·min‑1；喷涂压力：100‑800mbar。
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