[发明专利]磁控溅射设备有效

专利信息
申请号: 201410126503.3 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN103924201A 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 刘晓伟;郭会斌;冯玉春;王守坤;郭总杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 许静;安利霞
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明的磁控溅射设备,包括成膜腔室以及靶材,靶材为多个,多个靶材排列形成队列,成膜腔室的内部设置有与队列相对的用于为基板加热的第一加热装置,成膜腔室的内部设置有与靶材之间的缝隙相对应的第二加热装置。本发明的磁控溅射设备,成膜腔室的内部设置有与队列相对的用于为基板加热的第三加热装置,第三加热装置包括多个平行设置的加热条,多个加热条与靶材之间的缝隙相对应。本发明的磁控溅射设备,利用第二加热装置或第三加热装置使基板上形成温度不均,基板上不同区域的温度差距导致原子在基板上不同于区域的附着速度不同,从而可以调整成膜速率,以改善成膜不均。本发明的磁控溅射设备,结构简单,可以有效防止基板表面成膜不均匀。
搜索关键词: 磁控溅射 设备
【主权项】:
一种磁控溅射设备,包括成膜腔室以及设置于所述成膜腔室的内部的靶材,所述靶材为多个,多个靶材排列形成队列,所述成膜腔室的内部设置有与所述队列相对的用于为基板加热的第一加热装置,其特征在于,所述成膜腔室的内部设置有与靶材之间的缝隙相对应的第二加热装置。
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