[发明专利]光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器在审
申请号: | 201410126908.7 | 申请日: | 2014-03-31 |
公开(公告)号: | CN104952966A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 宋化龙 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L31/103 | 分类号: | H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18;H01L27/146 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器。其中,光电二极管,包括掺杂在衬底上表面上的第一掺杂区,以及掺杂在第一掺杂区上表面上的第二掺杂区,第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型不同,第一掺杂区的上表面上具有一个或多个向外凸起或向内凹陷的表面变化部,第二掺杂区设置在第一掺杂区的上表面上,具有与表面变化部形状相符的结构变化部。该光电二极管在光电二极管中第二掺杂区在衬底上所占区域的横截面积不变的情况下,增加了第二掺杂区的表面积,进而增加了光电二极管的有效感光面积及填充因子。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 制作方法 包括 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种光电二极管,包括掺杂在衬底上表面上的第一掺杂区,以及掺杂在所述第一掺杂区上表面上的第二掺杂区,所述第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型不同,其特征在于,所述第一掺杂区的上表面上具有一个或多个向外凸起或向内凹陷的表面变化部,所述第二掺杂区设置在所述第一掺杂区的上表面上,具有与所述表面变化部形状相符的结构变化部。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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