[发明专利]光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器在审

专利信息
申请号: 201410126908.7 申请日: 2014-03-31
公开(公告)号: CN104952966A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 宋化龙 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L31/103 分类号: H01L31/103;H01L31/0352;H01L31/18;H01L27/146
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 吴贵明;张永明
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种光电二极管、其制作方法及包括其的图像传感器。其中,光电二极管,包括掺杂在衬底上表面上的第一掺杂区,以及掺杂在第一掺杂区上表面上的第二掺杂区,第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型不同,第一掺杂区的上表面上具有一个或多个向外凸起或向内凹陷的表面变化部,第二掺杂区设置在第一掺杂区的上表面上,具有与表面变化部形状相符的结构变化部。该光电二极管在光电二极管中第二掺杂区在衬底上所占区域的横截面积不变的情况下,增加了第二掺杂区的表面积,进而增加了光电二极管的有效感光面积及填充因子。
搜索关键词: 光电二极管 制作方法 包括 图像传感器
【主权项】:
一种光电二极管,包括掺杂在衬底上表面上的第一掺杂区,以及掺杂在所述第一掺杂区上表面上的第二掺杂区,所述第一掺杂区和第二掺杂区的导电类型不同,其特征在于,所述第一掺杂区的上表面上具有一个或多个向外凸起或向内凹陷的表面变化部,所述第二掺杂区设置在所述第一掺杂区的上表面上,具有与所述表面变化部形状相符的结构变化部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410126908.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top