[发明专利]一种横向高压器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410126949.6 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN103904121A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 乔明;李燕妃;王裕如;叶珂;周锌;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人： | 李顺德;王睿 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体功率器件技术领域，涉及一种横向高压器件及其制造方法。本发明的一种横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底上端面的第二导电类型半导体漂移区和分别设置在第二导电类型半导体漂移区上端面两端的源区和漏区，其特征在于，所述第二导电类型半导体漂移区由自下而上依次层叠设置的多个第二导电类型半导体子漂移区构成，每个第二导电类型半导体子漂移区中均设置有2个降场层。本发明的有益效果为，极大地降低了器件的导通电阻，缓解比导通电阻和耐压的矛盾关系。本发明尤其适用于横向高压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 横向 高压 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种横向高压器件，其元胞结构包括第一导电类型半导体衬底、设置在第一导电类型半导体衬底上端面的第二导电类型半导体漂移区和分别设置在第二导电类型半导体漂移区上端面两端的源区和漏区，其特征在于，所述第二导电类型半导体漂移区由自下而上依次层叠设置的多个第二导电类型半导体子漂移区构成，每个第二导电类型半导体子漂移区中均设置有2个降场层。
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