[发明专利]混合碳－金属互连结构有效
| 申请号： | 201410127366.5 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104103626B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | H-J·巴斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了混合碳－金属互连结构。本公开的实施例涉及一种用于集成电路组件中的混合碳－金属互连结构的技术和构造。在一个实施例中，装置包括衬底、金属互连层和石墨烯层，该金属互连层设置在衬底上并且配置成作为石墨烯层的生长起始层，其中石墨烯层在金属互连层上直接形成，金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。可描述和/或要求保护其它的实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 混合 金属 互连 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路组件，所述组件包括：衬底；金属互连层，所述金属互连层设置在所述衬底上且与所述衬底直接接触并且配置成作为石墨烯层的生长起始层；以及石墨烯层，其中所述石墨烯层在所述金属互连层上直接形成，所述金属互连层和石墨烯层被配置成路由电信号。
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