[发明专利]TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的硬掩及互连层的制作方法

摘要

本申请公开了一种TiN复合硬掩膜、用于形成互连层结构的掩膜及互连层的制作方法。该TiN复合硬掩膜包括至少一组掩膜组件，其中掩膜组件包括：第一掩模层，靠近待刻蚀器件表面设置；第二掩模层，设置在第一掩模层远离待刻蚀器件的一侧；第二掩模层为氮化钛层，第一掩模层的硬度低于第二硬掩层的硬度。通过将氮化钛层设置在上方，以提高TiN复合硬掩膜的硬度，进而有利于在刻蚀过程为半导体器件提供保护，同时通过降低TiN的层厚，减少抛光时TiN碎片的数量，进而减少TiN残留物。

主权项

1.一种互连层的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在Si衬底上依次形成SiO₂介质层、SiOC掩膜层以及由4组SiCN/TiN组成的TiN复合硬掩膜，其中，各组SiCN/TiN中，所述SiCN的高度所述TiN的高度形成所述TiN的反应条件为：以TiCl₄和NH₃为反应气体，TiCl₄的流量为400sccm，NH₃的流量为300sccm，反应室内的压强为5torr，沉积温度为500℃，沉积时间为15秒；刻蚀所述TiN复合硬掩膜、所述SiOC掩膜层和所述SiO2介质层形成通孔，通过电镀工艺在通孔中形成Cu预备层，以及采用化学机械抛光去除SiO2介质层上的所述TiN复合硬掩膜、所述SiOC掩膜层和所述Cu预备层的步骤；化学机械抛光的工艺条件为：研磨头上施加的压力为220g/cm2，研磨头的转速为85r/min，抛光液的流速260mL/min，抛光温度为35℃，抛光时间为35秒。