[发明专利]芯片结构、其制作方法及包括其的MEMS器件有效
| 申请号： | 201410127665.9 | 申请日： | 2014-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN104944354B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 马军德;郭亮良;刘炼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 吴贵明,张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种芯片结构、其制作方法及包括其的MEMS器件。其中，该芯片结构包括衬底，以及设置于衬底上的金属结构，其中金属结构具有由多个直线部和多个拐角部相连形成的环形结构，且至少一个拐角部的内壁为薄壁拐角部，该薄壁拐角部的壁厚小于与其相邻的直线部的壁厚。在将上述芯片结构与其他芯片结构键合连接形成芯片的过程中，金属结构中薄壁拐角部因其壁厚小于与其相邻的直线部的壁厚，使其伸展开时的长度较大，能够更好的分散键合过程中所承受的压力，从而降低了拐角部所承受的应力，进而避免了拐角部发生外延，从而提高了后期制作的MEMS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 结构 制作方法 包括 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种芯片结构，包括衬底，以及设置于所述衬底上的金属结构，其特征在于，所述金属结构具有由多个直线部和多个拐角部相连形成的环形结构，且至少一个所述拐角部为薄壁拐角部，所述薄壁拐角部的壁厚小于与其相邻的所述直线部的壁厚，所述薄壁拐角部的内壁具有弧形过渡结构，且所述弧形过渡结构朝向外壁方向延伸至与该薄壁拐角部相邻的两个直线部的内壁的外延交线处的外部。
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