[发明专利]绝缘栅双极型晶体管有效
| 申请号： | 201410127688.X | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103915489B | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 王春早;马海平;张斌 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙)33221 | 代理人： | 应圣义 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘栅双极型晶体管，包括第一基区、第二基区、发射区、栅氧化层、缓冲区、第一集电极区、第二集电极区以及第三集电极区。其中，第二基区、发射区以及栅氧化层依次设置于第一基区的一侧，其中缓冲区、第一集电极区、第二集电极区以及第三集电极区依次设置于第一基区的另一侧。且第二基区、第一集电极区以及第二集电极区三者的导电类型与第一基区的导电类型相反，而发射区、缓冲区以及第三集电极区三者的导电类型与第一基区的导电类型相同。第三集电极区的最大厚度等于第二集电极区的最大厚度，且缓冲区、第一集电极区、第三集电极区三者掺杂浓度逐渐增加，形成双极型晶体管结构。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：第一基区；第二基区，设置于所述第一基区的一侧，所述第二基区的导电类型与所述第一基区的导电类型相反；发射区，设置于所述第二基区远离所述第一基区的一侧，所述发射区的掺杂浓度高于所述第一基区的掺杂浓度，且所述发射区的导电类型与所述第一基区的导电类型相同；栅氧化层，连接所述第一基区、第二基区以及发射区；缓冲区，设置于所述第一基区的另一侧，所述缓冲区的掺杂浓度高于所述第一基区的掺杂浓度，且所述缓冲区的导电类型与所述第一基区的导电类型相同；第一集电极区，设置于所述缓冲区远离所述第一基区的一侧，所述第一集电极区的导电类型与所述缓冲区的导电类型相反；第二集电极区，设置于所述第一集电极区远离所述缓冲区的一侧，所述第二集电极区的掺杂浓度高于所述第一集电极区的掺杂浓度，且所述第二集电极区的导电类型与所述第一集电极区的导电类型相同；第三集电极区，设置于所述第二集电极区，且所述第三集电极区的导电类型与所述第二集电极区的导电类型相反，第三集电极区在第二集电极区上通过扩散的形式得到；其中，所述第三集电极区的最大厚度等于所述第二集电极区的最大厚度，且所述缓冲区、第一集电极区、第三集电极区三者掺杂浓度逐渐增加，形成双极型晶体管结构。
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