[发明专利]可用于制备厚膜电阻器的莫来石复合材料绝缘基片、厚膜电阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201410128293.1 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103943290B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 程海峰;刘海韬;田浩;周永江;祖梅 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/065;C04B35/80;C04B35/185;C04B35/622 |
| 代理公司： | 上海金盛协力知识产权代理有限公司31242 | 代理人： | 段迎春 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负电阻温度系数厚膜电阻器，其主要由绝缘基片、端头电极和厚膜电阻层组成，绝缘基片是采用莫来石纤维增强莫来石复合材料制作。该厚膜电阻器的制备方法，包括以下步骤将莫来石纤维增强莫来石复合材料进行磨平和表面抛光处理得绝缘基片；在绝缘基片上丝网印制导体浆料，待干燥后进行烧结，再丝网印制电阻浆料，待干燥后进行烧结，得到负电阻温度系数厚膜电阻器。本发明还提供一种用于制备厚膜电阻器的莫来石复合材料绝缘基片，其是采用包括溶胶浸渍、凝胶、烧结、反复致密化在内的工艺步骤制备得到。本发明的厚膜电阻器可保持自身方阻值基本不变，具有成品率高、性能可靠、使用寿命长等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 电阻器 莫来石 复合材料 绝缘 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种负电阻温度系数厚膜电阻器的制备方法，所述厚膜电阻器主要由绝缘基片、所述绝缘基片表面上形成的端头电极和绝缘基片表面上形成的厚膜电阻层组成，所述厚膜电阻层与所述端头电极相互搭接，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：（1）将准备好的莫来石纤维增强莫来石复合材料进行磨平和表面抛光处理，得绝缘基片；（2）在步骤（1）后的绝缘基片上丝网印制导体浆料，待干燥后进行烧结，得到形成有端头电极的绝缘基片；（3）在步骤（2）后形成有端头电极的绝缘基片上丝网印制电阻浆料，待干燥后进行烧结，得到负电阻温度系数厚膜电阻器。
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