[发明专利]叠层电容型阻变存储单元结构及其操作方法

摘要

本发明提出一种叠层电容型阻变存储单元结构及其操作方法，该叠层电容型阻变存储单元结构包括：绝缘衬底；形成在绝缘衬底之上的下电极；形成在下电极之上的电容介质层；形成在电容介质层之上的中间电极；形成在中间电极之上的阻变存储介质层；以及形成在阻变存储介质层之上的上电极。本发明实施例的叠层电容型阻变存储单元结构，结构简单，可以通过半导体领域成熟的工艺制造，兼容性高，适合大批量生产，成本较低；通过引入的下层电容结构，能够有效的改善传统RRAM在reset操作中的大电流问题，具有良好的存储性能和高密度集成潜力。

主权项

一种叠层电容型阻变存储单元结构，其特征在于，包括：绝缘衬底；形成在所述绝缘衬底之上的下电极；形成在所述下电极之上的电容介质层；形成在所述电容介质层之上的中间电极；形成在所述中间电极之上的阻变存储介质层；以及形成在所述阻变存储介质层之上的上电极。