[发明专利]集成电路的背面金属化图形在审
| 申请号： | 201410128780.8 | 申请日： | 2014-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104851850A | 公开（公告）日： | 2015-08-19 |
| 发明（设计）人： | 张汉民;贺青春;叶德洪;宗飞 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有多个管芯的半导体晶圆具有一部分金属化背面。在晶圆切割之后，多个管芯的每个，在其背面，具有由外围无金属化环围绕的金属化区域。该无金属化环允许更容易地对管芯光学检测，以测定任意由晶圆切割造成的背面破损的程度。该外围无金属化环通过不对邻接晶圆的锯通道的区域金属化而生成。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 背面 金属化 图形 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：具有顶面和相反的背面的半导体管芯，其中形成在所述管芯上的多个器件组件在所述顶面处被暴露，其中所述管芯的背面包括：位于沿着所述管芯的外围的外围无金属化区域；以及金属化区域，包括金属层，位于所述外围无金属化区域之内。
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