[发明专利]一种半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410129139.6 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN104979388B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制作方法，包括提供衬底结构；在衬底结构上形成栅极，所述栅极全包围有中空沟道，在中空沟道与栅极之间为栅极电介质绝缘体；在栅极的两端分别形成第一绝缘体和第二绝缘体，以及分别形成源极和漏极。该半导体装置由于采用全包围栅极结构，电压控制增强，从而提高了栅极的控制能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的绝缘体层；位于所述绝缘体层上的栅极；被所述栅极全包围的中空沟道；位于所述中空沟道与所述栅极之间的栅极电介质绝缘体；分别位于所述栅极的两端的源极和漏极；位于所述栅极与源极之间的第一绝缘体和位于所述栅极与漏极之间的第二绝缘体；位于所述第一绝缘体与所述源极之间的第一侧墙；以及位于所述第二绝缘体与所述漏极之间的第二侧墙。
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