[发明专利]一种PoP封装结构及制造工艺

摘要

本发明涉及一种PoP封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型封装单元制作时，采用芯片面朝下的工艺流程，通过在载片上先制作一层金属层，然后芯片面朝下贴放于金属层的开槽内，从而增强扇出型晶圆级封装的刚性和热胀系数，使得整个晶圆的翘曲以及因塑封料涨缩引起的滑移、错位等得到控制。塑封以后在背面开孔，填充金属，形成金属柱与金属层形成电互连，并且在金属柱上端制作RDL层（再布线层），最后制作UBM、置球，形成单颗扇出型封装单元体。这样的封装单元可以通过封装单元背面的电极和其它封装体连接，形成多层PoP封装。

主权项

一种PoP封装结构，包括上层封装结构（1300）和下层封装结构（1400）；其特征是：所述上层封装结构（1300）和下层封装结构（1400）为扇出型封装单元体，所述扇出型封装单元体包括塑封材料（501），在塑封材料（501）中部设置芯片（100），芯片（100）的正面（100a）与塑封材料（501）的正面（501a）平齐，在芯片（100）的正面（100a）设置第一金属电极（102a）和第二金属电极（102b）；在所述塑封材料（501）中设置金属层（203）和金属柱（701），金属层（203）的第一表面（203a）与塑封材料（501）的正面（501a）平齐，金属层（203）的第二表面（501b）与金属柱（701）的第一表面（701a）连接，金属柱（701）的第二表面（701b）与塑封材料（501）的背面（501b）平齐；在所述塑封材料（501）的正面（501a）设置第一介电层（901），在第一介电层（901）中设置再布线金属走线层（1101），再布线金属走线层（1101）与第一金属电极（102a）和第二金属电极（102b）形成电连接；在所述第一介电层（901）上设置凸点下金属层（1201），凸点下金属层（1201）的一端与布线金属走线层（1101）连接，凸点下金属层（1201）的另一端置焊球（1301）；所述上层封装结构（1300）通过焊球（1301）与下层封装结构（1400）形成连接，下层封装结构（1400）的塑封材料（501）内金属柱（701）的设置位置及数量与上层封装结构（1300）的焊球（1301）相对应。