[发明专利]一种薄膜电容热冲击试验的tanδ控制方法在审
| 申请号： | 201410130200.9 | 申请日： | 2014-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN103954857A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 陈重生 | 申请（专利权）人： | 扬州日精电子有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/00 | 分类号： | G01R31/00 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立 |
| 地址： | 225009 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜电容热冲击试验的tanδ控制方法，包括对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，及对金属喷镀后的薄膜电容进行热冲击试验。相对现有技术，本发明在薄膜电容热冲击试验中能控制tan δ的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 电容 冲击 试验 tan 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜电容热冲击试验的tan δ控制方法，其特征在于，包括以下步骤： 喷镀金属：对薄膜电容器的薄膜进行金属喷镀，被喷镀的金属与薄膜电容上的蒸镀金属为同种金属； 热冲击：对金属喷镀后的薄膜电容进行热冲击试验，使金属喷镀后的薄膜电容从温度负40度匀速升温至125度，再从125度匀速降温至负40度，整个周期持续30分钟。
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