[发明专利]一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺在审
| 申请号： | 201410130602.9 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN103904044A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王宏杰;陈南南 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/98 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种扇出型晶圆级封装结构及制造工艺，特征是，在扇出型晶圆级封装结构制作时，采用芯片正面朝下的工艺流程，通过在载体圆片（carrierwafer）上制作金属层，然后按芯片的排列位置开通孔（或者直接将开好通孔的金属层粘在载体圆片上）；将芯片正面朝下贴放于金属层的开槽内，再进行塑封工艺。从而改变扇出型晶圆级封装（fanoutWLP）的内部结构，增强其刚性和热胀系数，使得整个晶圆（wafer）的翘曲（warpage）以及因塑封料（EMC）涨缩引起的滑移、错位（shift）得到控制；并且金属材料可起到更好的热传导及电磁屏蔽作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 扇出型晶圆级 封装 结构 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种扇出型晶圆级封装结构，包括带有第一金属电极（102a）和第二金属电极（102b）的芯片（100）和金属层（203），其特征是：所述芯片（100）和金属层（203）通过塑封材料（501）塑封成一个整体，并且芯片（100）的正面（100a）和金属层（203）的一表面（203a）与塑封材料（501）的正面（501a）位于同一平面上；在所述塑封材料（501）的正面（501a）设置介电层（901），介电层（901）中布置再布线金属走线层（1101）和凸点下金属层（1201），凸点下金属层（1201）上置焊球（1301），再布线金属走线层（1101）连接第一金属电极（102a）、第二金属电极（102b）以及凸点下金属层（1201）。
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