[发明专利]用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺

摘要

本发明提供一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，包括下述步骤提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底；对衬底进行背面减薄，并利用刻蚀工艺使得TSV背面端头突出于衬底背部表面；在衬底背面涂覆一层背面介质层，覆盖衬底背面和突出衬底背部表面的TSV背面端头；利用CMP工艺对背面介质层进行平坦化处理并使TSV露出；利用刻蚀工艺处理露出的TSV，形成TSV和背面介质层的台阶；在衬底背面淀积粘附层和种子层；利用TSV和介质层的台阶进行微凸点或RDL光刻对准，完成制作微凸点或RDL工艺。本发明可避免金属对硅衬底的沾污，能够保证制作微凸点或RDL时的光刻精度。

主权项

一种用于TSV背面漏孔及介质层与TSV的自对准工艺，其特征在于，包括下述步骤：步骤一，提供已经完成TSV盲孔结构制造的衬底(1)；步骤二，对含有TSV盲孔结构的衬底(1)进行背面减薄；步骤三，利用高选择比刻蚀工艺刻蚀衬底(1)背面，使得TSV背面端头突出于衬底(1)背部表面；步骤四，在衬底(1)背面涂覆一层背面介质层(4)，覆盖衬底(1)背面和突出衬底(1)背部表面的TSV背面端头；步骤五，利用CMP工艺对背面介质层(4)进行平坦化处理并使TSV露出；步骤六，利用刻蚀工艺处理露出的TSV，形成TSV和背面介质层(4)的台阶(5)；步骤七，在衬底(1)背面淀积粘附层和种子层；步骤八，利用TSV和介质层的台阶(5)进行微凸点(7)或RDL光刻对准，完成制作微凸点或RDL工艺；步骤一中，TSV盲孔周围设有TSV绝缘层(2)；步骤三中，刻蚀的方法采用湿法刻蚀工艺；背面介质层(4)的材料包括聚合物材料、二氧化硅、氮化硅中的一种或多种；步骤七中，利用PVD物理气相沉积工艺淀积粘附层和种子层。