[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201410131136.6 | 申请日: | 2014-04-02 |
公开(公告)号: | CN104102059B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 小田耕治;井上和式;石贺展昭;宫川修 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | G02F1/1368 | 分类号: | G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 何立波,张天舒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置,防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜(10)。在有机绝缘膜上方形成共通电极(12)及引出配线(11),在共通电极的上方隔着层间绝缘膜(15)而形成有像素电极(16)。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔(35)而与引出配线连接。引出配线(11)及共通电极(12)分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔(31、32)而与漏极电极(8)及共通配线(3)连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔(31、32)内,在共通电极(12)及引出配线(11)的上方设置有金属覆盖膜(13、14)。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板,其特征在于,具有:TFT元件;共通配线,其被供给共通电位;有机绝缘膜,其使用感光性的有机树脂材料形成,覆盖所述TFT元件的漏极电极及共通配线;第1接触孔,其形成在所述有机绝缘膜内,到达至所述漏极电极;第2接触孔,其形成在所述有机绝缘膜内,到达至所述共通配线;第1电极及引出配线,它们由透明导电膜构成,在所述有机绝缘膜的上方延伸;以及第2电极,其在所述第1电极的上方隔着层间绝缘膜延伸,通过在所述层间绝缘膜上形成的第3接触孔而与所述引出配线连接,所述第1电极在该第1电极的一部分具有使光透过的透过像素部,所述第1电极及所述引出配线的一方通过所述第1接触孔而与所述漏极电极连接,所述第1电极及所述引出配线的另一方通过所述第2接触孔而与所述共通配线连接,在所述第1接触孔及所述第2接触孔内,在所述第1电极及所述引出配线的上方形成有金属覆盖膜,所述金属覆盖膜配置为,遍及该金属覆盖膜的整个形成区域,该金属覆盖膜与所述第1电极及所述引出配线的表面相接触,所述金属覆盖膜的形成区域包含于除所述透过像素部外的所述第1电极以及所述引出配线的形成区域,所述第1接触孔内的所述金属覆盖膜和所述第2接触孔内的所述金属覆盖膜使用同一材料形成。
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