[发明专利]TFT阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201410131136.6 申请日: 2014-04-02
公开(公告)号: CN104102059B 公开(公告)日: 2017-06-13
发明(设计)人: 小田耕治;井上和式;石贺展昭;宫川修 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: G02F1/1368 分类号: G02F1/1368;G02F1/1333
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波,张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 针对在平坦化绝缘膜上方配置有共通电极及像素电极这种构造的液晶显示装置,防止接触孔中的连接不良和电阻增大。TFT阵列基板具有使用感光性有机树脂材料形成的有机绝缘膜(10)。在有机绝缘膜上方形成共通电极(12)及引出配线(11),在共通电极的上方隔着层间绝缘膜(15)而形成有像素电极(16)。像素电极经由形成在层间绝缘膜中的接触孔(35)而与引出配线连接。引出配线(11)及共通电极(12)分别通过形成在有机绝缘膜中的接触孔(31、32)而与漏极电极(8)及共通配线(3)连接。在形成在有机绝缘膜中的接触孔(31、32)内,在共通电极(12)及引出配线(11)的上方设置有金属覆盖膜(13、14)。
搜索关键词: tft 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
一种TFT阵列基板,其特征在于,具有:TFT元件;共通配线,其被供给共通电位;有机绝缘膜,其使用感光性的有机树脂材料形成,覆盖所述TFT元件的漏极电极及共通配线;第1接触孔,其形成在所述有机绝缘膜内,到达至所述漏极电极;第2接触孔,其形成在所述有机绝缘膜内,到达至所述共通配线;第1电极及引出配线,它们由透明导电膜构成,在所述有机绝缘膜的上方延伸;以及第2电极,其在所述第1电极的上方隔着层间绝缘膜延伸,通过在所述层间绝缘膜上形成的第3接触孔而与所述引出配线连接,所述第1电极在该第1电极的一部分具有使光透过的透过像素部,所述第1电极及所述引出配线的一方通过所述第1接触孔而与所述漏极电极连接,所述第1电极及所述引出配线的另一方通过所述第2接触孔而与所述共通配线连接,在所述第1接触孔及所述第2接触孔内,在所述第1电极及所述引出配线的上方形成有金属覆盖膜,所述金属覆盖膜配置为,遍及该金属覆盖膜的整个形成区域,该金属覆盖膜与所述第1电极及所述引出配线的表面相接触,所述金属覆盖膜的形成区域包含于除所述透过像素部外的所述第1电极以及所述引出配线的形成区域,所述第1接触孔内的所述金属覆盖膜和所述第2接触孔内的所述金属覆盖膜使用同一材料形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社,未经三菱电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410131136.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top