[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明涉及一种半导体器件和半导体器件的制造方法，其中在QFP即四方扁平封装组装期间将越过汇流条的并耦合到内引线的导线设定在与处于低线弧高度的第二导线以及处于高线弧高度的第三导线不同的线弧高度，并且还安装得比第二导线和第三导线更靠近标准悬空引线。导线的线弧高度相比在树脂密封工艺中的树脂流动的方向逐渐变高，使得可以减小导线偏移并且可以提高QFP组件的可靠性。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)制备引线框，所述引线框包括矩形的管芯垫、支撑所述管芯垫的多个悬空引线、安装在所述管芯垫外围处的多个第一引线、长度比各个第一引线短的多个第二引线以及共用引线，所述管芯垫具有芯片安装表面、第一边及与所述第一边交叉的第二边，所述共用引线从平面图看时将结合多个引线彼此的引线部分安装在所述管芯垫和所述多个第二引线之间，且形成为包围所述多个第二引线；(b)在所述管芯垫的所述芯片安装表面上面安装矩形的半导体芯片，该半导体芯片具有主表面、第三边及与所述第三边相反的一侧的第四边，在所述主表面上面形成有多个电极垫；(c)通过多个导线将所述半导体芯片的所述电极垫、所述共用引线、以及所述第一引线和所述第二引线中的每一个电耦合；(d)利用树脂密封所述共用引线、所述半导体芯片和所述导线，使得从密封体暴露出所述第一引线和所述第二引线以及所述共用引线中的每一个的一部分；以及(e)从所述引线框切断从所述密封体暴露出的多个外引线；其中，在所述步骤(a)中，关于所述多个悬空引线中的、与在树脂密封期间用于供应所述树脂的门对应的位置处的标准悬空引线，将所述标准悬空引线的一端连接于所述管芯垫的所述第一边与所述第二边的交叉部，在所述步骤(b)中，所述管芯垫从平面图看时比所述半导体芯片大，所述半导体芯片的所述第三边从平面图看时与所述管芯垫的第一边相对，且从平面图看时设置于所述半导体芯片的所述第四边与所述管芯垫的所述第一边之间，所述多个电极垫包含沿着所述第三边安装的多个第一电极垫、多个第二电极垫及多个第三电极垫，在所述步骤(c)中：所述多个导线中的多个第一导线将所述多个第一电极垫和所述多个第一引线电耦合，所述多个导线中的多个第二导线越过所述共用引线，并且将所述多个第二电极垫和所述多个第二引线中的任何一个引线电耦合，所述多个导线中的多个第三导线越过所述共用引线，并且还以使所述多个第三导线的各个线弧高度比所述多个第二导线的各个线弧高度高的方式，将所述多个第三电极垫和所述多个第二引线中的其他引线的任何一个电耦合，并且在与所述共用引线对应的共用引线区中，所述多个第二导线被安装得相比所述多个第三导线更靠近所述标准悬空引线，所述多个第三导线在所述管芯垫的所述第一边的延伸方向上相比所述多个第一导线安装在所述标准悬空引线的附近，所述多个第三导线的各个线弧高度比所述多个第二导线的各个线弧高度高。