[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和第二区域，第一区域上形成有第一鳍部，第二区域上形成有第二鳍部，所述半导体衬底上形成有隔离层；在第二鳍部上形成阻挡层；在第一区域上形成第一伪栅结构；在第二区域上形成位于阻挡层表面并横跨所述第二伪栅结构；在所述半导体衬底上形成与第一伪栅结构和第二伪栅结构齐平的介质层；去除第一伪栅结构形成第一凹槽，第一凹槽暴露出第一鳍部的表面，去除第二伪栅结构形成第二凹槽，第二凹槽暴露出第二鳍部上的阻挡层；在第一凹槽内形成第一栅极结构，在第二凹槽内形成第二栅极结构。上述方法可以准确调整不同区域上形成的鳍式场效应晶体管的栅介质层厚度。

主权项

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域上形成有第一鳍部，所述第二区域上形成有第二鳍部，所述半导体衬底上还形成有隔离层，所述隔离层的表面低于第一鳍部和第二鳍部的顶部表面；在第二鳍部上形成阻挡层；在第一区域上形成横跨所述第一鳍部的第一伪栅结构；在第二区域上形成位于阻挡层表面并横跨所述第二鳍部的第二伪栅结构；在所述半导体衬底上形成介质层，所述介质层的表面与所述第一伪栅结构和第二伪栅结构齐平；去除所述第一伪栅结构形成第一凹槽，所述第一凹槽暴露出第一鳍部的表面，去除所述第二伪栅结构形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露出第二鳍部上的阻挡层；在所述第一凹槽内形成位于第一鳍部表面并横跨第一鳍部的第一栅极结构，在所述第二凹槽内形成位于阻挡层表面并横跨第二鳍部的第二栅极结构。