[发明专利]光电探测器制备方法及制备的广角光电探测器有效
| 申请号： | 201410131554.5 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103956403B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 郭霞;周弘毅;郭春威;李冲 | 申请（专利权）人： | 苏州北鹏光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/20;H01L31/0236;H01L31/08 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陆明耀,姚姣阳 |
| 地址： | 215021 江苏省苏州市工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电探测器的制备方法，包括如下步骤在光电探测结构的上表面光刻出再构光敏面的图形，去除位于再构光敏面内的表面损伤层，在再构光敏面内形成广角结构。本发明的有益效果在于提供了一种广角光电探测器的制备方法，高效可靠，通过在光电探测器表面再构，打破菲涅尔反射系数入射角的限制，降低对入射波长的敏感度，不需加入额外的系统，仅通过单个光电探测器实现广角探测。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 探测器 制备 方法 广角 | ||
【主权项】：
一种光电探测器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，光刻步骤，在光电探测结构(103)的上表面光刻出再构光敏面(102)的图形，去除表面损伤层步骤，将所述光电探测结构(103)置于60‑100℃，20wt％的KOH溶液中，去除位于再构光敏面(102)内的大约10μm的表面损伤层；再构步骤，将所述光电探测结构(103)置于60‑100℃，3wt％的KOH及8vol％的异丙醇混合溶液中，在再构光敏面(102)内形成广角结构，所述广角结构为所述再构光敏面(102)的规则连续截面，用以使斜入射光接触所述再构光敏面(102)后产生的反射光再次作为斜入射光进入至所述光电探测结构(103)内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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