[发明专利]半导体设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201410132262.3 | 申请日： | 2014-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN104112672B | 公开（公告）日： | 2017-11-10 |
| 发明（设计）人： | 尾崎史朗;冈本直哉;牧山刚三;多木俊裕 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/441 | 分类号： | H01L21/441;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 王萍,陈炜 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体设备，包括第一电极；第二电极；由多孔绝缘材料制成并且形成在第一电极和第二电极之上的层间绝缘膜；以及分别电连接到第一电极和第二电极的连接部，其中在层间绝缘膜与第一电极的表面、第二电极的表面以及连接部的部分表面之间形成空腔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：源极；漏极；形成在所述源极和所述漏极之上的层间绝缘膜；保护膜，其被形成为覆盖所述源极和所述漏极中的每一个的上表面和侧表面；以及分别电连接到所述源极和所述漏极的连接部，其中，在所述层间绝缘膜与被覆盖以所述保护膜的所述源极的上表面和侧表面、被覆盖以所述保护膜的所述漏极的上表面和侧表面以及所述连接部的部分表面之间形成空腔；以及被覆盖以所述保护膜的所述源极和被覆盖以所述保护膜的所述漏极被完全地包含在所述空腔内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
