[发明专利]一种高可靠性MOSFET驱动电路

摘要

本发明涉及一种应用于功率开关管MOSFET的驱动电路，尤其涉及一种碳化硅MOSFET的驱动电路，属于驱动电路技术领域，为解决现有驱动电路中MOSFET关断时可靠性差的问题而发明。它包括PWM控制电路、驱动脉冲放大电路、驱动电阻R_g、第一二极管D₁、电阻R₁、PNP三极管Q_off、第二二极管D₂、电容C。本发明通过PNP三极管Q_off、电阻R₁和电容C组成MOSFET关断电路，在MOSFET快速关断时，有效抑制了由密勒电流引起的门极正电压尖峰，同时通过第二二极管D₂和电容C还可以抑制门极负电压尖峰，保证MOSFET安全、可靠地关断，能充分发挥碳化硅MOSFET的性能优势。

主权项

本发明涉及一种高可靠性MOSFET驱动电路，包括产生驱动信号的PWM控制电路，所述控制电路由第一直流电源(V_CC1)供电，与所述控制电路连接的驱动脉冲放大电路，所述驱动脉冲放大电路由第二直流电源(V_CC2)供电，与所述驱动脉冲放大电路连接的驱动电阻(R_g)及电阻(R₁)，与驱动电阻(R_g)相连的第一二极管(D₁)，连接于电阻(R₁)另一端子的PNP三极管(Q_off)，其发射极与第一二极管(D₁)和第二二极管(D₂)的阴极相连，与PNP三极管(Q_off)集电极相连的电容(C)，其特征在于：MOSFET的关断电路由PNP三极管(Q_off)、电阻(R₁)、第二二极管(D₂)和电容(C)组成。