[发明专利]一种静电放电保护电路

摘要

本发明公开了一种静电放电保护电路，包括一二极管，设置于一N型井区，一包括一高浓度P型掺杂区与不相邻的一高浓度N型掺杂区；一金氧半(NMOS)晶体管，设置于一P型井区，包括一汲极、一源极与一闸极，汲极与源极皆由高浓度N型掺杂区所形成；其中P型井区更包括一相邻于源极的高浓度P型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的汲极电性连接于二极管的高浓度N型掺杂区，金氧半(NMOS)晶体管的源极与相邻的高浓度P型掺杂区电性地接地，且金氧半(NMOS)晶体管的闸极电性连接一触发接点。静电放电保护电路具有极低的寄生与杂散电容，极高容忍电压操作范围与高ESD静电保护能力，能解决射频接收端脚的ESD问题。

主权项

一种静电放电保护电路，该静电放电保护电路由设置于一半导性基板上的一二极管与一金氧半组件所组成，包括：一第一井区，具有第一导电形态；一第二井区，与第一井区邻接且具有第二导电形态；一第一高浓度掺杂区，位于第一井区内且具有第二导电形态，第一高浓度掺杂区电性连接一连接垫；一第二高浓度掺杂区，位于第一井区内，与第一高浓度掺杂区有一第一预设距离，具有第一导电形态；一第三高浓度掺杂区，位于第二井区内且具有第一导电形态；一第四高浓度掺杂区，位于第二井区内，与第三高浓度掺杂区有一第二预设距离，且具有第一导电形态，第四高浓度掺杂区电性连接一接地垫；一第五高浓度掺杂区，位于第二井区内，相邻于第四高浓度掺杂区，且具有第二导电形态，第五高浓度掺杂区连接接地垫；一电极，设置于第二井区的表面，在第三高浓度掺杂区与第四高浓度掺杂区之间，电极电性连接一触发接点；其中第二高浓度掺杂区电性连接于第三高浓度掺杂区。