[发明专利]一种制备聚偏氟乙烯多孔膜的方法有效
申请号: | 201410132425.8 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN103861481A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
发明(设计)人: | 王海军;冯会平;李金祥;王学川;屈锋;雷乐乐;赵彦群 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | B01D71/34 | 分类号: | B01D71/34;B01D67/00 |
代理公司: | 西安西达专利代理有限责任公司 61202 | 代理人: | 第五思军 |
地址: | 710021 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 一种制备聚偏氟乙烯多孔膜的方法,步骤为:1)首先把聚偏氟乙烯与聚己二酸乙二醇酯混合,使其完全溶解于氮氮二甲基甲酰胺DMF有机溶剂中,在60℃下静置挥发成膜;2)将共混膜在热台上加热熔融,保温10min,消除热历史;3)将共混熔体以50℃/min的速率迅速降温到155℃,在热台上利用聚甲基硅氧烷板快速的对共混熔体施加104~105Pa的剪切应力;4)共混物薄膜在155℃的热台上静置培养;5)将结晶完全的共混物薄膜浸泡在氯仿溶液中,浸泡72h,使聚己二酸乙二醇酯成分蚀刻完全,此时共混物薄膜成分只剩余聚偏氟乙烯晶体,在烘箱中干燥,即得到聚偏氟乙烯多孔膜;工艺简单易行,成本低廉,易于工业化生产应用;孔隙通量高、改善了亲水性和抗污染性。 | ||
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【主权项】:
一种制备聚偏氟乙烯多孔膜方法,其特征在于,包括有以下步骤:1)首先按照聚偏氟乙烯:聚己二酸乙二醇酯=30~70:30~70的质量百分比混合,使其完全溶解于氮氮二甲基甲酰胺DMF有机溶剂中,利用旋转成膜法在60℃下静置挥发成膜;2)将共混膜在195℃~205℃的热台上加热熔融,保温10min,消除热历史; 3)将步骤2)制备的共混熔体以50 ℃/min的速率迅速降温到155℃,在155℃热台上利用聚甲基硅氧烷板快速的对共混熔体施加104~105Pa的剪切应力;4)共混物薄膜在155℃的热台上静置培养12h~72h;5)将结晶完全的共混物薄膜浸泡在氯仿溶液中,浸泡72h,使聚己二酸乙二醇酯成分蚀刻完全,此时共混物薄膜成分只剩余聚偏氟乙烯晶体,在60℃烘箱中干燥8h,即得到聚偏氟乙烯多孔膜。
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