[发明专利]一种单面抛光方法

摘要

一种单面抛光方法，用来处理太阳能电池中的硅晶片。该抛光方法是用真空紫外光照射硅片的非待抛光面，在200℃～400℃的温度下，使硅片的非待抛光面生长一层厚度为5nm～50nm的氧化硅薄膜，而硅片的待抛光面被硅片自身所遮挡，不会被真空紫外光所照射到，因而不会生长氧化硅薄膜，以此达到只在单面生成氧化硅阻挡膜的目的。在后续的抛光工序中，无氧化硅阻挡膜的一面与抛光溶液反应形成抛光面，有氧化硅阻挡膜的一面保留绒面结构，形成单面抛光效果。本发明的抛光方法，工艺流程简单快捷，成本低廉，使用本发明的方法处理后的硅片，抛光面光滑平整，制绒面的绒面保存完好，具有意想不到的技术效果。

主权项

一种单面抛光方法，用来处理太阳能电池中的硅晶片，其特征在于，所述单面抛光方法包括步骤：提供一待处理的硅晶片，将该硅晶片置入氧气氛围后，在200‑400度的温度下，对该硅晶片的非待抛光面进行紫外线照射，在该紫外线的作用下，氧气只在所述硅晶片的非待抛光面上与硅反应生成一层氧化硅；将该硅晶片放入抛光溶液进行抛光，所述氧化硅形成对所述抛光溶液的阻挡层，使得该抛光溶液只在所述待抛光面上形成抛光效果；去除非待抛光面上的所述氧化硅层。