[发明专利]TI-IGBT的制作方法

摘要

本发明提供了一种TI‑IGBT的制作方法，包括：提供半导体衬底，对半导体衬底的一侧表面进行第一次掺杂；对半导体衬底退火，以激活第一次掺杂的掺杂杂质；对半导体衬底进行与第一次掺杂的掺杂类型相反的第二次掺杂，使第二次掺杂的掺杂深度大于或等于第一次掺杂的掺杂深度，并使第二次掺杂的掺杂浓度在其掺杂范围内不同掺杂深度处均大于第一次掺杂的掺杂浓度；利用激光扫描第二次掺杂的区域的待形成第二集电区，以对待形成第二集电区退火，激活待形成第二集电区中的第二次掺杂的掺杂杂质，形成第二集电区，与第二集电区相邻的第一次掺杂的区域为第一集电区。本发明所提供的方法能够降低生产成本、提高生产效率、改善晶圆翘曲或碎片的问题。

主权项

一种TI‑IGBT的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底的一侧表面进行第一次掺杂；对所述半导体衬底进行退火，以激活所述第一次掺杂的掺杂杂质；对所述半导体衬底的进行第一次掺杂的同一侧表面进行第二次掺杂，所述第二次掺杂的掺杂类型与所述第一次掺杂的掺杂类型相反，使所述第二次掺杂的掺杂深度大于或等于所述第一次掺杂的掺杂深度，并使所述第二次掺杂的掺杂浓度在其掺杂范围内不同掺杂深度处均大于所述第一次掺杂的掺杂浓度；利用激光扫描所述第二次掺杂的区域的待形成第二集电区，以对所述待形成第二集电区进行退火，激活所述待形成第二集电区中的第二次掺杂的掺杂杂质，形成第二集电区，与所述第二集电区相邻的第一次掺杂的区域为第一集电区。