[发明专利]互连结构的形成方法

摘要

本发明提供了一种互连结构的形成方法，包括在半导体衬底上形成介电层后，在介电层上形成以金属掩模为材料的第一掩模，之后在第一掩模上形成第二掩模，并以第二掩模为掩模进行第一刻蚀，在介电层内形成通孔；之后去除第二掩模露出第一掩模后，以第一掩模为掩模进行第二刻蚀，在介电层内形成沟槽，且第二刻蚀采用非氟基的刻蚀剂。在第二刻蚀过程中，采用的刻蚀剂为非氟基刻蚀剂，从而有效避免在第二刻蚀工艺中，氟离子与金属掩模反应形成含有金属氟化物的副产物，以及避免这部分金属氟化物与介电层进一步反应造成介电层损伤，从而降低刻蚀工艺对于介电层损伤。

主权项

一种互连结构的形成方法，用于形成具有大马士革结构的互连结构，其特征在于，所述形成方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成介电层；在所述介电层上形成用于在介电层中形成沟槽的第一掩模，所述第一掩模为金属掩模；其中，用于在介电层中形成沟槽的第一掩模的形成方式为:在介电层上形成第一硬掩模层，在所述第一硬掩模层上由下至上依次形成氧化硅层、光优化层、硅抗反射层和第一光刻胶层；之后经曝光显影工艺后，在所述第一光刻胶层内形成沟槽图案，并沿着所述沟槽图案，刻蚀所述硅抗反射层、光优化层、氧化硅层和第一硬掩模层，将沟槽图案转移至所述第一硬掩模层内，以形成用于在介电层中形成沟槽的第一掩模；在所述第一掩模上形成用于在介电层中形成通孔的第二掩模；以所述第二掩模为掩模对所述介电层进行第一刻蚀，以在所述介电层中形成通孔；去除所述第二掩模露出所述第一掩模；以所述第一掩模为掩模对所述介电层进行第二刻蚀，以在所述介电层中形成沟槽，所述第二刻蚀采用非氟基刻蚀剂。