[发明专利]一种多级阻变存储器单元及其制备方法有效
| 申请号： | 201410133503.6 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103915565B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 唐晓莉;马国坤;苏桦;钟智勇;张怀武;荆玉兰 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供了一种多级阻变存储器单元及其制备方法，包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极；其特征在于，所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层。本发明通过增加纳米级隔离层，使阻变存储器的存储窗口提高到105量级以上，达到多级存储所需的首要条件；并且采用电化学活性材料作为顶电极，利用电化学活性材料的漂移特性实现不同电压激励下不同的电阻状态，达到多级存储的目的。同时，隔离层的加入减小了氧离子移动过程中的耗散，有效的保护了底电极，增大了器件的稳定性。另外，该多级阻变存储器单元的制备方法工艺简单、易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多级 存储器 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多级阻变存储器单元，包括从下往上依次设置的基片、底电极、阻变层、顶电极；其特征在于，所述底电极与阻变层之间还设置有隔离层,所述顶电极的材料为Ag或Cu。
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