[发明专利]栅极及晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201410133562.3 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104979175B | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;任佳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种栅极及晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成栅极材料层；采用等离子刻蚀机对栅极材料层进行等离子刻蚀，以形成栅极；其中，等离子刻蚀的步骤包括：使等离子刻蚀机输出脉冲式功率，以对栅极材料层进行脉冲刻蚀。本发明还提供一种晶体管的形成方法，包括：采用如上述方法形成晶体管的栅极。本发明的有益效果在于，本发明的刻蚀方式中的刻蚀可以实现间断的刻蚀效果，这样可以使等离子的电子温度在刻蚀间断时得到一定程度的降低，有利于减小等离子的电子温度，进而减小对衬底的影响程度，也就是说，减小在刻蚀形成栅极的时候对衬底的损耗，以尽量避免在衬底上形成凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成栅极材料层；采用等离子刻蚀机对所述栅极材料层进行等离子刻蚀，以形成栅极；其中，等离子刻蚀的步骤包括：使等离子刻蚀机输出脉冲式功率，以对所述栅极材料层进行脉冲刻蚀；等离子刻蚀形成栅极的过程中形成副产物；等离子刻蚀栅极材料层的步骤包括：采用包含所述副产物的刻蚀气体对所述栅极材料层进行等离子刻蚀；形成栅极材料层的步骤包括，形成多晶硅材料的栅极材料层；等离子刻蚀栅极材料层的步骤包括：采用的刻蚀气体包括氯气和四氯化硅，或者采用的刻蚀气体包括溴气和四溴化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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