[发明专利]半导体器件的集电极结构及TI-IGBT

摘要

本发明提供了一种半导体器件的集电极结构及TI-IGBT，其中集电极结构包括：相互隔离的集电区与短路区；集电极；覆盖集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，绝缘体背离漂移区一侧的表面与集电区和短路区之间的集电极相接触，朝向漂移区一侧的表面与漂移区相接触，且绝缘体与集电区和短路区均相接触；与漂移区的掺杂类型相反的浮空区，浮空区的结深大于短路区的结深，浮空区覆盖短路区靠近集电区一端的表面，不覆盖短路区远离所述集电区一端的表面，且浮空区与绝缘体和漂移区均相接触。由于上述背面结构中从集电区上方传输至短路区的电子通道电阻较大，从而用更小尺寸的集电区就可以完全抑制回跳现象，最终提高了器件的抗短路和功率循环能力。

主权项

一种半导体器件的集电极结构，所述集电极结构形成于所述半导体器件的漂移区的一侧，其特征在于，所述集电极结构包括：与所述漂移区的掺杂类型相反的集电区；与所述漂移区的掺杂类型相同的短路区，所述短路区与集电区相互隔离；形成于所述集电区与所述短路区背离所述漂移区一侧的集电极；覆盖所述集电区与短路区之间的集电极的绝缘体，所述绝缘体背离所述漂移区一侧的表面与所述集电区和短路区之间的集电极相接触，所述绝缘体朝向所述漂移区一侧的表面与所述漂移区相接触，且所述绝缘体与所述集电区和短路区均相接触；与所述漂移区的掺杂类型相反的浮空区，所述浮空区的结深大于所述短路区的结深，所述浮空区覆盖所述短路区靠近所述集电区一端的表面，不覆盖所述短路区远离所述集电区一端的表面，且所述浮空区与所述绝缘体和漂移区均相接触。