[发明专利]多晶硅锭的制备方法无效
| 申请号： | 201410134041.X | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103882517A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 李飞龙;许涛;翟传鑫;张伟娜;蒋俊峰 | 申请（专利权）人： | 阿特斯（中国）投资有限公司;阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 秦蕾 |
| 地址： | 215300 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种多晶硅锭的制备方法，其包括以下步骤：S1、提供一坩埚，并在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层，在氮化硅涂层上涂敷晶态硅粉涂层；S2、在上述涂敷后的坩埚内侧的底部铺设一定厚度的隔离层，并在隔离层上铺设一层碎硅料，然后放入多晶硅原料；S3、将装有多晶硅原料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热使所述多晶硅料熔化进入长晶阶段；S4、进入长晶阶段后调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长；S5、待所述熔硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅锭。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：S1、提供一坩埚，并在坩埚内壁上涂敷氮化硅涂层，在氮化硅涂层上涂敷晶态硅粉涂层；S2、在上述涂敷后的坩埚内侧的底部铺设一定厚度的隔离层，并在隔离层上铺设一层碎硅料，然后放入多晶硅原料；S3、将装有多晶硅原料的坩埚放置于一定向凝固铸锭炉中抽真空，然后加热使所述多晶硅料熔化进入长晶阶段；S4、进入长晶阶段后调节控温热电偶的温度和侧部隔热笼向上移动的速率，使热量向下辐射而使熔硅在竖直向上的温度梯度下自下向上生长；S5、待所述熔硅结晶完后经退火和冷却形成多晶硅锭。
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