[发明专利]高荧光量子产率的氮掺杂碳量子点、其制备方法及应用在审
| 申请号： | 201410134549.X | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN104974749A | 公开（公告）日： | 2015-10-14 |
| 发明（设计）人： | 张智军;涂小龙;曹玉华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C09K11/65 | 分类号： | C09K11/65;A61K49/00;G01N21/64 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高荧光量子产率的氮掺杂碳量子点、其制备方法及应用。该碳量子点是通过将含氮碳源、表面修饰分子与高沸点醇混合，并在惰性保护气氛中于200℃-240℃的温度条件下充分反应后获得。本发明制备的碳量子点具有均匀粒径（主要分布在2-4nm）、高含氮量（可达10wt%）、高荧光量子效率（可达20%）、低细胞毒性等特点，可在细胞成像、活体成像等领域广泛应用，且合成与表面修饰一步完成，工艺简单、成本低廉，可宏量生产，能充分满足产业化应用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 荧光 量子 掺杂 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种高荧光量子产率的氮掺杂碳量子点，其特征在于所述碳量子点是通过将含氮碳源、表面修饰分子与高沸点醇混合，并在惰性保护气氛中于200℃以上的温度条件下充分反应后获得。
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