[发明专利]单晶炉的磁屏蔽体结构无效
| 申请号： | 201410134617.2 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103952752A | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 安涛;高勇 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 单晶炉的磁屏蔽体结构，包括设置在单晶炉炉体外的勾形磁场装置，勾形磁场装置包括套设在单晶炉炉体外的筒状的磁屏蔽体和设置在磁屏蔽体内的两个螺线管线圈，磁屏蔽体的内侧壁上设有第一导磁环。磁屏蔽体的上下端分别设有环形上盖和环形下盖，环形上盖上设有第二导磁环，环形下盖上设有第三导磁环。本发明在磁屏蔽体内壁及上下盖上设置导磁环，可有效减小磁回路的磁阻，提高了磁通量，降低了磁场功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶炉 屏蔽 结构 | ||
【主权项】：
单晶炉的磁屏蔽体结构，其特征在于：包括设置在单晶炉炉体（1）外的勾形磁场装置，所述勾形磁场装置包括套设在炉体（1）外的磁屏蔽体（2）和设置在磁屏蔽体（2）内的两个螺线管线圈（3），所述磁屏蔽体（2）的内侧壁上设有第一导磁环（4）。
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