[发明专利]消除金属薄膜表面小丘状缺陷的方法在审
| 申请号： | 201410134726.4 | 申请日： | 2014-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN103943569A | 公开（公告）日： | 2014-07-23 |
| 发明（设计）人： | 王佳;陈俊;胡胜 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种消除金属薄膜表面小丘状缺陷的方法，该方法包括：提供一半导体衬底；于真空环境下在该半导体衬底上制备一粘附层后，制备一金属薄膜覆盖所述粘附层的表面，且所述金属薄膜中形成有应力；在进行后续的退火处理工艺之前，对所述金属薄膜进行破真空应力释放工艺；其中，所述金属薄膜的热稳定性和机械性均低于所述粘附层和\或所述阻挡层的热稳定性和机械性。通过本发明方法能够使金属薄膜能够在后续的高温退火工艺后，仍保持其表面的平整度，避免了小丘状突起缺陷的产生。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 金属 薄膜 表面 小丘 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
一种消除金属薄膜表面小丘状缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底；于真空环境下在该半导体衬底上制备一粘附层后，制备一金属薄膜覆盖所述粘附层的表面，且所述金属薄膜中形成有应力；在进行后续的退火处理工艺之前，对所述金属薄膜进行破真空应力释放工艺；其中，所述金属薄膜的热稳定性和机械性均低于所述粘附层和/或所述阻挡层的热稳定性和机械性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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